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湿式研磨与干法研磨的区别

湿法研磨与干法研磨的区别 干法研磨指进行研磨作业时物料的含水量不超过4%，而湿法研磨则是将原料悬浮于载体液流中进行研磨，适当添加分散剂等助剂帮助研磨进行。湿法研磨机时物料含水量超过50%时，可克服粉尘飞扬问题。在食品加工上，研磨的物料经常作为浸出的预备操作，使组分易于溶出，故颇适于湿式研磨法。但湿法操作一般消耗能量较干法操作的大，同时设备的磨损也较严重。机械干法研磨较难获取亚微米级别的粉体，化学制粉成本高，因此湿法研磨成为制备超细粉体的一个重要手段。从实际应用来看，这两者之间并没有的优劣之分，要根据实际的产品特点及经济效益来选取适当的处理方法。

如何检测平面抛光机加工工件的精度

如何检测平面抛光机加工工件的精度 今天我们来介绍平面抛光机加工工件的精度检验方法，平面抛光机加工的工件，平面的精度检验是确定工件的平面度、平行度、垂直度以及工件的角度检验。 1、平面度检验，使用样板平尺与被测平面垂直接触的时候，需要光的情况来进行平面度的误差大小的判断。 2、工件平行度的检验，当工件的基准面的平行度符合一定要求的时候，几点的厚度差值为工件的平行度的误差。使用百分表或者是千分飚来检验工件表面的平行度误差。 3、工件表面精度检测包括垂直度的检验，可以使用直角尺或者是圆柱角尺进行检验。 4、工件表面垂直度的检验，工件斜面与基准面之间所存在的夹角可以用正弦规以及角度块规组进行检验。

切割、研磨、抛光容易忽视的操作环节要注意了

切割、研磨、抛光容易忽视的操作环节要注意了 研磨抛光，切割前应对其定向，确定切割面，切割时首先将锯片固定好，被切晶体材料固定好，切割速度选择好，切割时不能不用切割液，它不仅能冲洗锯片，而且还能减少由于切割发热对晶体表面产生的损害，切割液还能冲刷切割区的晶体碎渣。 切割下来的晶片，要进入下一道工序研磨。首先要用测厚仪分类测量晶片的厚度进行分组，将厚度相近的晶片对称粘在载料块上。粘接前，要对晶片的周边进行倒角处理。粘片时载料块温度不易太高，只要固定腊溶化即可，晶片摆放在载料块的外圈，粘片要对称，而且要把晶片下面的空气排净（用铁块压实）。防止产生载料块不转和气泡引发的碎片的现象。在研磨过程中适时测量减薄的厚度，直到工艺要求的公差尺寸为止。 使用研磨抛光机前要将设备清洗干净，同时为保证磨盘的平整度，每次使用前都要进行研盘，研盘时将修整环和磨盘自磨，选用研磨液要与研磨晶片的研磨液相同的磨料进行，每次修盘时间10分钟左右即可。只有这样才能保证在研磨时晶片表面不受损伤，达到理想的研磨效果。 抛光前要检查抛光布是否干净，抛光布是否粘的平整，一定要干净平整。进行抛光时，抛光液的流量不能小，要使抛光液在抛光布上充分饱和，一般抛光时间在一小时以上，期间不停机，因为停机，化学反应仍在进行，而机械摩擦停止，造成腐蚀速率大于机械摩擦速率，而使晶片表面出现小坑点。 设备的清洗非常重要，清洗是否干净将直接影响磨、抛晶片的质量。每次研磨或抛光后，都要认真将设备里外清洗干净。